Hersteller Produktnummer:
IPI023NE7N3 G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI023NE7N3 G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12802867
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IPI023NE7N3 G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 273µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI023N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IFEINFIPI023NE7N3 G
2156-IPI023NE7N3 G-IT
IPI023NE7N3 G-DG
IPI023NE7N3G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPP023NE7N3GXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
460
TEILNUMMER
IPP023NE7N3GXKSA1-DG
Einheitspreis
2.96
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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